金融界2025年10月22日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“闪存器件及其制备方法”的专利，公开号CN118765113A，申请日期为2025年6月。
专利摘要显示，本申请提供一种闪存器件及其制备方法，其中制备方法中，先进行逻辑区的刻蚀，后进行存储区的刻蚀，其中在逻辑区的有源区工艺中，先通过ISSG工艺在第一沟槽内壁上先形成牺牲氧化层，强化第一沟槽侧壁上的衬底的顶端边角的圆角效果，然后湿法去除牺牲氧化层，并再次采用ISSG工艺在第一沟槽内壁上形成第一衬垫氧化层，这样不仅可以进一步强化第一沟槽侧壁上的衬底的顶端边角的圆角效果，使得第一沟槽侧壁上的衬底的顶端边角更加圆润，而且可以得到厚度均匀性以及膜层质量更好的第一衬垫氧化层，可以改善MOS管漏电，同时保证存储区器件不受影响。
本文源自金融界
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